东方晶源PanGen®V5.0：创新计算光刻，助力芯片制造迈向新高度！

在芯片制造领域，一项名为光学邻近校正（OPC）的技术正发挥着越来越重要的作用。OPC技术通过修正掩膜版上的图形，解决了因衍射受限成像而导致的图像失真问题，从而显著提升了芯片制造的良率。在这一技术的前沿，东方晶源公司凭借其创新实力，成为了国内领先的计算光刻解决方案提供商。

自2014年成立以来，东方晶源便创造性地提出了基于CPU+GPU混合算力构架的全芯片反向光刻技术（ILT）解决方案，并在此基础上研发出了PanGen®良率综合优化产品。经过长达十年的开发与迭代，这款产品已经成功应用于国内众多主流逻辑和存储芯片制造商的工艺研发和量产过程中，为芯片制造行业带来了显著的效益。

近期，东方晶源再次针对国内前沿客户的需求，推出了PanGen®V5.0版本。这一新版本在保持全芯片反向光刻技术思路的基础上，推出了多种满足不同掩膜复杂度的ILT解决方案，包括Freeform Sbar、Freeform mask以及curvelinear mask等。其中，基于Manhattan图形化的Freeform mask解决方案在先进节点制造中获得了硅片验证，结果显示，针对孔形版图，该方案能够提升光刻工艺窗口20%以上。

在算力支持方面，PanGen®V5.0全面支持主流x86、英伟达GPU计算集群生态，以及ARM计算集群、海光DCU等国产计算集群。该产品还支持云服务与云计算，为用户提供了更加灵活和高效的算力选择。

为了满足先进封装工艺大版图OPC的需求，东方晶源还推出了PanGen BigOPC®产品，该产品支持多掩模拼接曝光技术，进一步提升了OPC技术在先进封装工艺中的应用效果。

在硅光器件制造工艺仿真优化方面，PanGen®V5.0同样表现出色。它支持多种曲线版图的处理功能，能够对任意弯曲图形的掩模进行优化和光刻规则检查。考虑到硅光器件与传统芯片的需求差异，东方晶源还特别开发了曲线目标版图掩膜优化功能，并已经获得了客户的验证和认可。

针对高端芯片制造中刻蚀的长程负载效应问题，PanGen®V5.0也提供了创新的解决方案。它基于AI技术开发了刻蚀模型和刻蚀自动补偿机制，能够准确预测长程负载效应，并自动计算刻蚀补偿量，从而有效增强图形的一致性，提高客户的综合良率。